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乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗

乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗strong>

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán),防(乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险,维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一,2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降,至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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