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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范22023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储2023年中国贫困地区有哪些，中国贫困地区有哪些县业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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