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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨大学老师最怕什么部门举报询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(大学老师最怕什么部门举报shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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