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　　大家好，来(lái)看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。162邮箱怎么登陆，162邮箱登录登录入口>存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。