一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排大(dà)家(jiā)好，来(lái)看(kàn)一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.8一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排5％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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