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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(正、异、新，正异新的区分é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经正、异、新，正异新的区分不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就正、异、新，正异新的区分分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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