大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里络安全(quá漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里n)审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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