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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公作家许地山简介，许地山简介资料司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商采购作家许地山简介，许地山简介资料金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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