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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上少儿频道主持人都有谁啊，少儿频道主持人叫什么名字(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)少儿频道主持人都有谁啊，少儿频道主持人叫什么名字圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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