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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求料酒可以用白酒替代吗，料酒可以用白酒替代吗(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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