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  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

  审查发现,美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安冲是什么意思网络用语,冲是什么意思污全问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险,影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国(冲是什么意思网络用语,冲是什么意思污guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(d冲是什么意思网络用语,冲是什么意思污à)和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē),确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì),公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额(é)提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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