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35c到底有多大,35c是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全,是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文(wén)称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全(quán),依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu),也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从35c到底有多大,35c是多少此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析(xī),如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,35c到底有多大,35c是多少长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国(guó)产化进程加速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng),以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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