大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据91是质数吗，95是质数吗网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）91是质数吗，95是质数吗等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存91是质数吗，95是质数吗(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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