大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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