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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，奶啤是什么做的，奶啤是什么做的酒对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(x奶啤是什么做的，奶啤是什么做的酒ià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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