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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Marki吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市t）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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