大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。坡比1_1.5怎么计算坡长，坡度最简单的计算方法>

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司坡比1_1.5怎么计算坡长，坡度最简单的计算方法(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。