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regretted用法及例句,regret的用法和例句 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据(jù)网信办消(xiāo)息,日前,网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěregretted用法及例句,regret的用法和例句n)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē),确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导致下游客户(hregretted用法及例句,regret的用法和例句ù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù),薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān),设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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