大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全胸围88是多大罩杯，胸围88是多大尺码文胸风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)胸围88是多大罩杯，胸围88是多大尺码文胸家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá胸围88是多大罩杯，胸围88是多大尺码文胸)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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