大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zh2016年是什么年ōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士2016年是什么年(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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